Η Tayvan Yarıiletken Üretim A.Ş.. resmi olarak sunuldu 2022 TSMC Teknoloji Sempozyumu, üretim teknolojisi N2 (kategori 2 nm)
O ilk düğümü TSMC kategorisinde 2 nm alan etkili transistörleri kullanacak (GAAFET'ler - çok yönlü alan etkili transistörler) ve yeni üretim süreci performans ve güç avantajları sunacak, ancak transistör yoğunluğu açısından piyasaya sürüldüğünde 2025'te pek etkilemeyecek.
Yepyeni bir süreç teknolojisi platformu olan TSMC'nin N2'si iki önemli yenilik getiriyor: nanofoil transistörler (T'nin dediği gibiGAAFET olarak SMC) ve arka güç rayı düğümün watt başına performans özelliklerini artırmakla aynı amaca hizmet eder.
nanofoil transistörler GAA dört tarafı kapılarla çevrili kanallara sahiptir, bu da sızıntıyı azaltır. Ek olarak, trafik akışını artırmak ve verimliliği artırmak için kanalları genişletilebilir veya güç tüketimini ve maliyetleri en aza indirmek için küçülebilir.
Bu nanofoil transistörlere yeterli güç sağlamak ve şimdi herhangi birini boşa harcamak için, TSMC'nin N2'si arka uçtaki dirençlerle savaşmak için en iyi çözümlerden biri olarak kabul edilen güç kaynağını arkada kullanır (KAPALI).
Gerçekten de, enerji verimliliği ve tüketimi açısından, TSMC nano tabanlı N2 düğümü, %10 ila %15 daha yüksek verim aynı güç ve karmaşıklıkta ve 2%5 ila %30 daha düşük enerji tüketimi aynı frekansta ve transistör sayısında TSMC N3E. Bununla birlikte, yeni düğüm, çip yoğunluğunu N1,1E'ye kıyasla yalnızca yaklaşık 3 kat artırır.
Genel olarak, TSMC'nin N3'si tam düğüm verimliliği artışı ve güç tüketiminde azalma sağlar. Ancak yoğunluk açısından, yeni teknoloji pek etkilemez. Örneğin, düğüm K3E TSMC tekliflerinin 1,3X N5'e kıyasla çip yoğunluğundaki artış, önemli bir artıştır.
takip etmeyi unutmayın Xiaomi-miui.gr at Google Haberler tüm yeni yazılarımızdan hemen haberdar olmak için! Ayrıca RSS okuyucu kullanıyorsanız bu bağlantıyı takip ederek sayfamızı listenize ekleyebilirsiniz >> https://news.xiaomi-miui.gr/feed/gn
Bizi takip edin Telegram Böylece her haberimizi ilk öğrenen siz olursunuz!
